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晶体管
MBT3906DW1T1G参考图片

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MBT3906DW1T1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR PNP 40V
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数量单价合计
1
¥1.6159
1.6159
10
¥1.469
14.69
100
¥0.52206
52.206
1,000
¥0.34578
345.78
3,000
¥0.26894
806.82
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
晶体管极性
PNP
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 40 V
集电极—基极电压 VCBO
- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
- 0.4 V
最大直流电集电极电流
0.2 A
增益带宽产品fT
250 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MBT3906DW1
高度
1 mm
长度
2.2 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.35 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
- 200 mAdc
直流集电极/Base Gain hfe Min
60
Pd-功率耗散
150 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
MBT3906DW1T2G
单位重量
6 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 0.7A 30V
1:¥3.5369
10:¥2.2713
100:¥0.97632
1,000:¥0.7458
3,000:¥0.56839
参考库存:50209
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 20V PNP LOW VCE(SAT) XTR
1:¥3.9211
10:¥3.1979
100:¥1.9549
1,000:¥1.5029
3,000:¥1.2882
参考库存:20346
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 2A 50V
1:¥3.7629
10:¥2.8928
100:¥1.5707
1,000:¥1.1752
3,000:¥1.01474
参考库存:28498
晶体管
MOSFET 20 V, P-channel Trench MOSFET
1:¥3.0736
10:¥2.1244
100:¥0.97632
1,000:¥0.75258
5,000:¥0.63732
参考库存:27865
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 30V 10.8A 7MO
1:¥7.3789
10:¥6.2376
100:¥4.7912
500:¥4.2375
1,000:¥3.3448
1,500:¥3.3448
参考库存:12112
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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