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晶体管
SI2323CDS-T1-GE3参考图片

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SI2323CDS-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -20V Vds 8V Vgs SOT-23
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库存:95,494(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.7574
6.7574
10
¥5.9438
59.438
100
¥4.6104
461.04
500
¥3.4578
1728.9
1,000
¥2.8024
2802.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
6 A
Rds On-漏源导通电阻
39 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
16 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.45 mm
长度
2.9 mm
系列
SI2
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.6 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
20 S
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
23 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
SI2323CDS-GE3
单位重量
8 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFETBVDSS: 25V-30V
1:¥7.3789
10:¥6.328
100:¥4.859
500:¥4.294
1,000:¥3.39
3,000:¥3.39
参考库存:46486
晶体管
MOSFET 80V N-Ch Enh FET 20Vgs 9.5A 1949pF
3,000:¥3.0397
参考库存:46491
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS8
1:¥58.7826
10:¥52.8614
25:¥48.1832
100:¥43.4937
参考库存:46496
晶体管
MOSFET MV POWER MOS
1:¥11.8311
10:¥10.0683
100:¥8.0682
500:¥7.0625
5,000:¥5.2432
10,000:查看
参考库存:31159
晶体管
MOSFET MOSFETBVDSS: 651V-800V
1:¥13.0628
10:¥11.1418
100:¥8.9157
500:¥7.7631
1,000:¥6.4636
参考库存:46503
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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