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晶体管
DMN31D6UT-13参考图片

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DMN31D6UT-13

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库存:43,113(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.2261
2.2261
10
¥1.5594
15.594
100
¥0.65314
65.314
1,000
¥0.44522
445.22
10,000
¥0.29945
2994.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-523-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
350 mA
Rds On-漏源导通电阻
1.1 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
350 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
320 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
4.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.3 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
7.4 ns
典型接通延迟时间
3.3 ns
单位重量
2 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 900 V, 0.72 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
1:¥20.0575
10:¥17.063
100:¥13.6052
500:¥11.9102
1,000:¥9.9101
参考库存:7860
晶体管
MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥13.2888
10:¥11.30
100:¥9.0626
500:¥7.91
3,000:¥6.0907
6,000:查看
参考库存:30777
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP SOT-416 -50V VCC -0.1A IC
1:¥1.5368
10:¥1.3899
100:¥0.49155
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:48434
晶体管
MOSFET PLANAR_MOSFETS
1:¥21.357
10:¥18.2156
100:¥15.7522
250:¥14.9838
500:¥13.447
800:¥13.447
参考库存:8856
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFX600H/CFM4F///REEL 13
1:¥1,042.1086
5:¥1,021.6669
10:¥974.0261
25:¥953.5844
50:¥953.5844
参考库存:3663
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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