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晶体管
SIZF300DT-T1-GE3参考图片

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SIZF300DT-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 30V Vds; 16/-12V Vgs PowerPAIR F 3.3x3.3
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数量单价合计
1
¥9.7632
9.7632
10
¥8.0682
80.682
100
¥6.2037
620.37
500
¥5.3336
2666.8
1,000
¥4.2149
4214.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAIR3x3-4
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
75 A, 141 A
Rds On-漏源导通电阻
4.5 mOhms, 1.84 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V, 1.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
- 16 V, 20 V, - 12 V, 16 V
Qg-栅极电荷
22 nC, 62 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
74 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIZ
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
60 S, 90 S
下降时间
7 ns, 12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
40 ns, 53 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns, 30 ns
典型接通延迟时间
17 ns, 25 ns
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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10:¥1.07576
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
10,000:¥0.20792
20,000:查看
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MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥2.9154
10:¥1.8871
100:¥0.81473
1,000:¥0.62263
3,000:¥0.47686
参考库存:21963
晶体管
MOSFET T6 60V S08FL
1:¥9.5259
10:¥8.1473
100:¥6.2715
500:¥5.537
1,500:¥3.8759
9,000:查看
参考库存:142965
  • 海量现货

    50万现货SKU

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    保证原装正品

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