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晶体管
FGY160T65SPD-F085参考图片

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FGY160T65SPD-F085

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库存：10,947(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥80.6029
80.6029
10
¥74.1506
741.506
25
¥71.077
1776.925
100
¥62.6246
6262.46
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
240 A
Pd-功率耗散
882 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
FGY160T65S_F085
资格
AEC-Q101
封装
Tube
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
FGY160T65SPD_F085
单位重量
6.100 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPD90N06S4L03ATMA2
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MOSFET
1:¥13.2888
10:¥11.30
100:¥9.0626
500:¥7.91
2,500:¥6.1359
5,000:查看
参考库存:16020
IRFI630GPBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-CH 200V HEXFET MOSFET
1:¥17.8314
10:¥14.8256
100:¥11.526
参考库存:5412
CSD19531Q5AT
Texas Instruments
晶体管
MOSFET 100V,5.3mOhm,NexFET Power MOSFET
1:¥13.221
10:¥11.2209
100:¥8.9157
250:¥8.9157
500:¥7.8422
参考库存:38939
TK8S06K3L(T6L1,NQ)
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 8A 60V 25W 400pF 0.054
1:¥9.0626
10:¥7.2998
100:¥5.6048
500:¥4.9946
2,000:¥3.4578
10,000:查看
参考库存:15196
FDS4435BZ-F085
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 30V P-Chan PowerTrench
1:¥7.3789
10:¥6.328
100:¥4.859
500:¥4.294
2,500:¥3.0058
10,000:查看
参考库存:7983

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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    科技智能大仓储

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