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晶体管
PBSS4260PAN,115参考图片

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PBSS4260PAN,115

  • Nexperia
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V 2A NPN/NPN lo VCEsat transistor
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数量单价合计
1
¥3.6838
3.6838
10
¥3.051
30.51
100
¥1.8645
186.45
1,000
¥1.4351
1435.1
3,000
¥1.2317
3695.1
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-2020-6
晶体管极性
NPN
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—射极饱和电压
70 mV
最大直流电集电极电流
3 A
增益带宽产品fT
140 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值
430
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Nexperia
集电极连续电流
2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
290
Pd-功率耗散
1450 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
7.200 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RJH60A85RDPP-M0#T2
Renesas Electronics
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT
1:¥24.6679
10:¥22.0576
25:¥19.8202
50:¥18.984
参考库存:47446
BC817-25W RFG
Taiwan Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 200mW
1:¥2.0001
10:¥1.8419
100:¥1.1978
1,000:¥0.40002
3,000:¥0.32996
参考库存:47451
FD900R12IP4DV
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥3,866.973
5:¥3,633.9896
参考库存:47456
SMPJ230
InterFET
晶体管
JFET JFET N-Channel -40V 3.0mA 20Vds -30Vgs
705:¥9.605
1,000:¥7.91
2,500:¥7.0964
10,000:¥6.8252
参考库存:47461
APTGT150A60T1G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥506.8389
5:¥491.55
10:¥477.0973
25:¥447.2879
参考库存:47466

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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