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晶体管
APT100GN60LDQ4G参考图片

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APT100GN60LDQ4G

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi
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库存:3,110(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥113.8023
113.8023
10
¥103.4289
1034.289
25
¥95.6658
2391.645
50
¥90.4452
4522.26
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-264-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
229 A
Pd-功率耗散
625 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
229 A
高度
5.21 mm
长度
26.49 mm
工作温度范围
- 55 C to + 175 C
宽度
20.5 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
229 A
栅极—射极漏泄电流
600 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
10.600 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET -30V Vds 20V Vgs TSOP-6
1:¥4.6895
10:¥4.0002
100:¥3.0171
500:¥2.2261
1,000:¥1.7402
3,000:¥1.469
参考库存:66000
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Composite Transistor SC-113DB/SOT-363
1:¥4.068
10:¥1.9775
100:¥1.356
500:¥1.11418
3,000:¥0.66896
9,000:查看
参考库存:44382
晶体管
MOSFET MOSFT 55V 84A 11mOhm 80nC
1:¥11.8311
10:¥10.0683
100:¥8.0682
500:¥7.0625
800:¥5.8534
参考库存:11004
晶体管
MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 175mOhms 12.7nC
1:¥6.5314
10:¥5.5935
100:¥4.3053
500:¥3.8081
1,000:¥2.9945
2,000:¥2.9945
参考库存:11676
晶体管
MOSFET N-Ch 900V 5.1A TO220-3 CoolMOS C3
1:¥11.9893
10:¥10.2152
100:¥8.1473
500:¥7.1642
1,000:¥5.9325
参考库存:6358
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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