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晶体管
APT100GN60LDQ4G参考图片

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APT100GN60LDQ4G

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi
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库存:3,110(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥113.8023
113.8023
10
¥103.4289
1034.289
25
¥95.6658
2391.645
50
¥90.4452
4522.26
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-264-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
229 A
Pd-功率耗散
625 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
229 A
高度
5.21 mm
长度
26.49 mm
工作温度范围
- 55 C to + 175 C
宽度
20.5 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
229 A
栅极—射极漏泄电流
600 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
10.600 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 10W TO270-2N
1:¥194.1001
5:¥185.5686
10:¥179.0372
25:¥156.2112
500:¥134.7751
参考库存:11719
晶体管
MOSFET 80V N-Ch UltraFET PowerTrench MOSFET
1:¥17.5941
10:¥14.9047
100:¥11.9893
500:¥10.4525
3,000:¥8.0682
6,000:查看
参考库存:33391
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS7
1:¥407.1729
5:¥394.8785
10:¥383.2734
25:¥359.3852
参考库存:4398
晶体管
MOSFET TO-252 DPAK P-CH 60V
1:¥4.4522
10:¥3.7177
100:¥2.3956
1,000:¥1.9097
2,500:¥1.7176
参考库存:118285
晶体管
MOSFET N-Ch 20V 80A TDSON-8 OptiMOS 2
1:¥9.9892
10:¥8.4524
100:¥6.5427
500:¥5.7856
1,000:¥4.5765
5,000:¥4.5765
参考库存:29277
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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