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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Diodes Incorporated
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	220 Ohms
典型电阻器比率	0.022
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-323-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	56
集电极—发射极最大电压 VCEO	40 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	DDTC122
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	56
高度	1 mm
长度	2.2 mm
宽度	1.35 mm
商标	Diodes Incorporated
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	5 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
DSS60601MZ4-13	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LOW VCE(SAT) NPN SMT	1:¥3.2996 10:¥2.7798 100:¥1.695 1,000:¥1.3108 2,500:¥1.11418	参考库存:3487
SMMBTA56LT1G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS DR XSTR SPCL TR	1:¥2.9945 10:¥1.9323 100:¥0.82942 1,000:¥0.63732 3,000:¥0.48364	参考库存:92929
NTD4969NT4G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET TRENCH 3.1 30V 9 mOhm NCH	1:¥4.3053 10:¥3.5143 100:¥2.147 1,000:¥1.6611 2,500:¥1.4125	参考库存:159356
FQPF20N06	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 60V N-Channel QFET	1:¥8.9157 10:¥7.6275 100:¥5.8647 500:¥5.1754	参考库存:14958
STGD8NC60KDT4	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 N Ch 55V 6.5mohm 80A Pwr MOSFET	1:¥9.605 10:¥8.1473 100:¥6.2489 500:¥5.5257 2,500:¥3.8646 10,000:查看	参考库存:20180