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晶体管
DN0150BLP4-7参考图片

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DN0150BLP4-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 50V 0.1A 3-PIN SMT
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库存:12,779(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.0736
3.0736
10
¥2.4973
24.973
100
¥1.5255
152.55
1,000
¥1.1865
1186.5
3,000
¥1.00683
3020.49
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
最大直流电集电极电流
0.1 A
增益带宽产品fT
60 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
DN0150
直流电流增益 hFE 最大值
200 at 2 mA, 6 V
高度
0.35 mm
长度
1 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
0.6 mm
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
200
Pd-功率耗散
450 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 650V FS Gen3 Trench IGBT
1:¥42.3411
10:¥36.0357
100:¥31.1993
250:¥29.5834
参考库存:9456
晶体管
达林顿晶体管 BIP DPAK PNP 8A 100V
1:¥6.3732
10:¥5.2771
100:¥3.4013
1,000:¥2.7233
2,500:¥2.3052
参考库存:21058
晶体管
MOSFET T6 60V S08FL SINGLE
1:¥5.4579
10:¥4.5765
100:¥2.9493
1,000:¥2.3617
1,500:¥2.0001
参考库存:25965
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥372.7531
2:¥362.6057
5:¥352.5374
10:¥342.4804
参考库存:4372
晶体管
MOSFET 800V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
1:¥29.5043
10:¥24.4306
100:¥20.1366
250:¥19.5151
500:¥17.515
参考库存:8584
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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