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晶体管
PBSS302ND,115参考图片

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PBSS302ND,115

  • Nexperia
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 40V 4A LOW SAT
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数量单价合计
1
¥3.616
3.616
10
¥3.0623
30.623
100
¥1.8645
186.45
1,000
¥1.4464
1446.4
3,000
¥1.2317
3695.1
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-74-6
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
40 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
最大直流电集电极电流
15 A
增益带宽产品fT
150 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值
300 at 500 mA, 2 V
高度
1 mm
长度
3.1 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.7 mm
商标
Nexperia
集电极连续电流
4 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
50
Pd-功率耗散
360 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
PBSS302ND T/R
单位重量
11.800 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PSMN3R0-60PS,127
Nexperia
晶体管
MOSFET N-ch 60V 3.0 mOhm MOSFET
5,000:¥8.6784
10,000:¥8.3733
参考库存:50513
SSM2212RZ-RL
Analog Devices
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Low Noise Matched Dual NPN
2,500:¥28.2048
参考库存:50518
TPN1110ENH,L1Q
Toshiba
晶体管
MOSFET UMOSVIII 200V 126m (VGS=10V) TSON-ADV
5,000:¥4.52
10,000:¥4.3505
参考库存:50523
DMP2021UTSQ-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥6.7574
10:¥5.6613
100:¥3.6499
1,000:¥2.9154
参考库存:20318
TDB6HK180N16RR_B48
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
10:¥992.2304
30:¥971.3367
参考库存:50530

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    50万现货SKU

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