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晶体管
MJD350-13参考图片

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MJD350-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) HIGH VOLTAGE PNP SMT
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库存:17,744(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.5313
4.5313
10
¥3.7516
37.516
100
¥2.2939
229.39
1,000
¥1.7628
1762.8
2,500
¥1.5029
3757.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DPAK-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
300 V
集电极—基极电压 VCBO
300 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3 V
最大直流电集电极电流
0.5 A
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MJD350
直流电流增益 hFE 最大值
30 at 50 mA, 10 V
高度
2.4 mm
长度
6.8 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
6.2 mm
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
30
Pd-功率耗散
1560 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
单位重量
260.400 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
JFET 25V 0.7mA
1:¥8.3733
10:¥6.8591
100:¥5.2658
500:¥4.5313
3,000:¥3.3335
6,000:查看
参考库存:262661
晶体管
MOSFET Small Signal MOSFET
1:¥4.0002
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:232993
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8
1:¥13.673
10:¥11.3678
100:¥8.7575
500:¥7.6727
1,000:¥6.3506
2,500:¥6.3506
参考库存:15125
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥31.5835
10:¥26.8149
100:¥23.2102
250:¥22.0576
500:¥19.7524
参考库存:3942
晶体管
MOSFET -30V P-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥6.6105
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
2,500:¥2.825
参考库存:159739
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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