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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ROHM Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	4.7 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	EMT-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	115
最大工作频率	260 MHz
集电极—发射极最大电压 VCEO	-
集电极连续电流	- 500 mA
峰值直流集电极电流	- 500 mA
Pd-功率耗散	150 mW
最小工作温度	-
最大工作温度	+ 150 C
系列	DTB543EE
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
发射极 - 基极电压 VEBO	-
输出电压	- 60 mV
商标	ROHM Semiconductor
最大直流电集电极电流	- 500 mA
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
零件号别名	DTB543EE

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
SIHA6N80E-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 800V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK	1:¥19.3682 10:¥16.0573 100:¥12.4526 500:¥10.9158 1,000:¥9.0626	参考库存:7143
IPD80R4K5P7ATMA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET	1:¥5.3788 10:¥4.4974 100:¥2.9041 1,000:¥2.3165 2,500:¥2.3165	参考库存:35610
IRL100HS121	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS	1:¥6.7574 10:¥5.7743 100:¥4.4296 500:¥3.9211 1,000:¥3.0962 4,000:¥3.0962	参考库存:45207
SUM70040E-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)	1:¥23.6622 10:¥19.5942 100:¥16.1364 250:¥15.594 800:¥15.594	参考库存:15094
CSD85302L	Texas Instruments	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 20V Dual N ch MOSFET	1:¥4.6895 10:¥3.842 100:¥2.3504 1,000:¥1.8193 3,000:¥1.5481	参考库存:71966