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晶体管
ZXTN5551GTA参考图片

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ZXTN5551GTA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 160V 600mA NPN
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库存:11,231(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.2996
3.2996
10
¥2.7798
27.798
100
¥1.695
169.5
1,000
¥1.3108
1310.8
2,000
¥1.11418
2228.36
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
160 V
集电极—基极电压 VCBO
180 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
最大直流电集电极电流
0.6 A
增益带宽产品fT
130 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZXTN5551
直流电流增益 hFE 最大值
80
高度
1.65 mm
长度
6.7 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
3.7 mm
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
80 at 1 mA, 5 V, 80 at 10 mA, 5 V, 30 at 50 mA, 5 V
Pd-功率耗散
2000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
112 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12.5mOhms 24nC
1:¥3.9211
10:¥3.2657
100:¥1.9888
1,000:¥1.5368
4,000:¥1.3108
参考库存:38999
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR TRANSISTOR NPN
1:¥4.0002
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
3,000:¥1.3334
参考库存:76036
晶体管
MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series
1:¥14.1363
10:¥11.9893
100:¥9.605
500:¥8.3733
800:¥6.9382
参考库存:7878
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 3A 500V 60W 280pF 3 Ohm
1:¥9.2999
10:¥7.458
100:¥5.763
500:¥5.0737
2,000:¥3.5369
10,000:查看
参考库存:7495
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V 2A NPN/PNP lo VCEsat transistor
1:¥3.6838
10:¥3.051
100:¥1.8645
1,000:¥1.4351
3,000:¥1.2317
参考库存:25807
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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