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晶体管
IPB030N08N3 G参考图片

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IPB030N08N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 80V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3
  • 数据手册下载
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库存:24,368(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥25.1312
25.1312
10
¥21.357
213.57
100
¥18.4416
1844.16
250
¥17.515
4378.75
1,000
¥13.2888
13288.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
160 A
Rds On-漏源导通电阻
3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
214 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
79 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
45 ns
典型接通延迟时间
23 ns
零件号别名
IPB030N08N3GATMA1 IPB3N8N3GXT SP000444100
单位重量
1.600 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.35 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package
1:¥22.2045
10:¥18.8258
100:¥16.3624
250:¥15.5262
参考库存:7561
晶体管
MOSFET MOSFT 80V 6.3A 29mOhm 38nC
1:¥9.6841
10:¥8.2264
100:¥6.3506
500:¥5.6048
1,000:¥4.4296
4,000:¥4.4296
参考库存:12898
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SOT-1123 PBRT TRANSISTOR
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
8,000:¥0.66896
24,000:查看
参考库存:43950
晶体管
MOSFET 20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 1.5 x 1
1:¥5.0737
10:¥3.8872
100:¥2.8928
500:¥2.373
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.8419
参考库存:34567
晶体管
MOSFET MOSFT PCh -55V 11A 175mOhm 12.7nC
1:¥6.5314
10:¥5.5935
100:¥4.3053
500:¥3.8081
1,000:¥2.9945
3,000:¥2.9945
参考库存:27414
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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