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晶体管
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KSP43BU

  • ON Semiconductor / Fairchild
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
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10
¥1.3899
13.899
100
¥0.58421
58.421
1,000
¥0.40002
400.02
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
200 V
集电极—基极电压 VCBO
200 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
0.5 V
最大直流电集电极电流
0.5 A
增益带宽产品fT
50 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
KSP43
高度
4.7 mm
长度
4.7 mm
封装
Bulk
宽度
3.93 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
0.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
Pd-功率耗散
625 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
10000
子类别
Transistors
单位重量
179 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TSM7N90CI C0G
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET 900V 7A N Channel Power Mosfet
4,000:¥11.0627
5,000:¥10.6785
参考库存:42159
IRFR4104TRRPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 5.5mOhms 59nC
3,000:¥5.8534
参考库存:42164
2SB1184TLR
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 50V 3A
2,500:¥1.9436
10,000:¥1.8758
25,000:¥1.7967
50,000:¥1.7741
参考库存:42169
PTRA082808NF-V1-R5
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
500:¥500.5335
参考库存:42174
CZT3019 BK
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small Signal Transistor NPN
1,400:¥4.2601
2,800:¥3.7855
10,150:¥3.6386
25,200:¥3.5256
参考库存:256094

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    50万现货SKU

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