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晶体管
IGP50N60TXKSA1参考图片

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IGP50N60TXKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
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库存：6,414(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥33.5045
33.5045
10
¥28.5099
285.099
100
¥24.6679
2466.79
250
¥23.4362
5859.05
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
90 A
Pd-功率耗散
333 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
500
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGP50N60T IGP5N6TXK SP000683046
单位重量
2 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTX2N2221AUB/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥124.4808
250:¥113.4972
500:¥106.1974
参考库存:53337
RN1110MFV(TPL3)
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50volts 3Pin 4.7Kohms
暂无价格
参考库存:53342
JANTXV2N2221AL/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
128:¥113.113
250:¥103.1238
500:¥96.5133
1,000:¥88.5242
参考库存:53347
CGHV40320D-GP4
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-4.0GHz, 320 Watt
暂无价格
参考库存:53352
RMP6N70TI
Rectron
晶体管
MOSFET TO-220F MOSFET
2,000:¥2.5086
4,000:¥2.2939
10,000:¥2.1018
24,000:¥2.0566
参考库存:53357

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    50万现货SKU

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