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IPW65R190CFDA

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库存：1,654(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥36.499
36.499
10
¥30.962
309.62
100
¥26.894
2689.4
250
¥25.5154
6378.85
500
¥22.8938
11446.9
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
17.5 A
Rds On-漏源导通电阻
171 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
68 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
151 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
21.1 mm
长度
16.13 mm
系列
CoolMOS CFDA
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.21 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
6.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8.4 ns
工厂包装数量
240
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
53.2 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
IPW65R190CFDAFKSA1 IPW65R19CFDAXK SP000928268
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMT6012LFDF-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
10,000:¥1.5255
20,000:¥1.469
50,000:¥1.4464
参考库存:51280
SIHP17N60D-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
1,000:¥12.7577
3,000:¥12.1362
5,000:¥11.6842
参考库存:51285
PDTC143ZMB,315
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PDTC143ZMB/XQFN3/REEL 7" Q1/T1
10,000:¥0.35369
20,000:¥0.33787
50,000:¥0.31527
100,000:¥0.27685
参考库存:51290
TJ80S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba
晶体管
MOSFET P-Ch MOS -80A -40V 100W 7770pF 0.0052
2,000:¥6.7461
4,000:¥6.4975
10,000:¥6.2489
参考库存:51295
DCX69-16-13
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1000W -20Vceo
2,500:¥0.95259
10,000:¥0.89157
参考库存:51300

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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