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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Diodes Incorporated
产品种类	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SM-8
晶体管极性	NPN, PNP
配置	Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO	45 V, 40 V
集电极—基极电压 VCBO	45 V, 50 V
发射极 - 基极电压 VEBO	5 V
集电极—射极饱和电压	500 mV
最大直流电集电极电流	2 A
增益带宽产品fT	150 MHz
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	ZDT6790
直流电流增益 hFE 最大值	500
高度	1.6 mm
长度	6.7 mm
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
宽度	3.7 mm
商标	Diodes Incorporated
集电极连续电流	2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min	500 at 100 mA, 2 V at NPN, 400 at 1 A, 2 V at NPN, 150 at 2 A, 2 V at NPN, 300 at 10 mA, 2 V at PNP, 250 at 500 mA, 2 V at PNP, 200 at 1 A, 2 V at PNP, 150 at 2 A, 2 V at PNP
Pd-功率耗散	2.75 W
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量	1000
子类别	Transistors

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
FS75R12W2T4	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块 IGBT 1200V 75A	1:¥462.5768 5:¥452.2034 10:¥434.6093 25:¥420.6199	参考库存:2855
MMBT3906T-TP	Micro Commercial Components (MCC)	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200mA 40V	1:¥3.1527 10:¥1.7515 100:¥0.9379 500:¥0.75258 3,000:¥0.43844 9,000:查看	参考库存:47027
RTM002P02T2L	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET P-CH 20V 200MA	1:¥3.0736 10:¥2.4973 100:¥1.5255 1,000:¥1.1865 8,000:¥0.9379 24,000:查看	参考库存:33529
CSD19532Q5BT	Texas Instruments	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 100V N ch MOSFET	1:¥19.5151 10:¥16.5997 100:¥13.221 250:¥13.221 500:¥11.526	参考库存:14091
SI1926DL-T1-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 60V Vds 20V Vgs SC70-6	1:¥3.2318 10:¥2.4973 100:¥1.8645 500:¥1.5255 1,000:¥1.1865 3,000:¥1.07576	参考库存:91393