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晶体管
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2N5770

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN RF Amp/Osc
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10
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25.538
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¥1.469
146.9
1,000
¥1.06785
1067.85
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
15 V
集电极—基极电压 VCBO
30 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3 V
集电极—射极饱和电压
0.4 V
最大直流电集电极电流
0.05 A
增益带宽产品fT
900 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2N5770
高度
5.33 mm
长度
5.21 mm
封装
Bulk
宽度
4.19 mm
商标
Central Semiconductor
集电极连续电流
50 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
20
Pd-功率耗散
625 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
零件号别名
2N5770 PBFREE
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥373.6006
参考库存:59162
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥401.263
参考库存:59167
晶体管
MOSFET P-CH Enhancmnt Mode MOSFET
暂无价格
参考库存:59172
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
50:¥1,445.5864
100:¥1,445.5864
参考库存:59177
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-18GHZ 25W TQGaN25 PAE 78.3% Gain 18dB
暂无价格
参考库存:59182
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