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晶体管
FGH60N60SFDTU-F085参考图片

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FGH60N60SFDTU-F085

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库存:4,614(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥48.7934
48.7934
10
¥44.1039
441.039
25
¥42.036
1050.9
100
¥36.499
3649.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
120 A
Pd-功率耗散
378 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FGH60N60SF_F085
资格
AEC-Q101
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
60 A
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
+/- 400 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
FGH60N60SFDTU_F085
单位重量
6.390 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A
1:¥4.0002
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
2,500:¥1.3334
参考库存:87119
晶体管
达林顿晶体管 High Volt Darlington 7Drivers 500mA 250ns
1:¥3.6838
10:¥3.0623
100:¥1.8645
1,000:¥1.4464
2,500:¥1.2317
参考库存:26131
晶体管
MOSFET 10V Drive Nch Power MOSFET
1:¥7.3789
10:¥6.2376
100:¥4.7912
500:¥4.2375
1,000:¥3.3448
参考库存:6883
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN GP TRANSISTOR
1:¥2.9945
10:¥1.9888
100:¥0.82942
1,000:¥0.56839
8,000:¥0.37629
24,000:查看
参考库存:21750
晶体管
MOSFET N-CHAN 30V 100A
1:¥7.6049
10:¥6.4975
100:¥4.9833
500:¥4.407
1,000:¥3.4804
1,500:¥3.4804
参考库存:2817
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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