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晶体管
STU7NM60N参考图片

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STU7NM60N

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 600V 0.84 Ohm 5A 2nd Gen MDmesh
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数量单价合计
1
¥14.7578
14.7578
10
¥12.5204
125.204
100
¥9.9892
998.92
500
¥8.7575
4378.75
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
5 A
Rds On-漏源导通电阻
900 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
14 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
45 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STU7NM60N
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
26 ns
典型接通延迟时间
7 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DDTA125TCA-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 200K
3,000:¥0.24634
9,000:¥0.2147
24,000:¥0.20001
45,000:¥0.18419
参考库存:47739
6MS24017E33W32859NOSA1
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 STACKS IPM
1:¥162,519.3685
参考库存:47744
PSMNR58-30YLHX
Nexperia
晶体管
MOSFET PSMNR58-30YLH/SOT1023/4 LEADS
1,500:¥7.91
3,000:¥7.3676
6,000:¥7.0964
10,500:¥6.8252
参考库存:47749
DMN30H4D0L-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET N-Ch Enh FET 300V 20Vgs 0.25A 0.31W
10,000:¥1.2656
参考库存:47754
IRFZ24STRRPBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET MOSFET N-Channel 60V
800:¥10.8367
1,600:¥8.9157
参考库存:47759

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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