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产品分类

晶体管
IPB160N08S4-03参考图片

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IPB160N08S4-03

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库存:4,414(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.5152
21.5152
10
¥18.2834
182.834
100
¥15.8313
1583.13
250
¥15.0629
3765.725
500
¥13.447
6723.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
160 A
Rds On-漏源导通电阻
2.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
112 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
208 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
38 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
18 ns
零件号别名
IPB160N08S403ATMA1 SP000989092
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 10W TO270-2N
1:¥194.1001
5:¥185.5686
10:¥179.0372
25:¥156.2112
500:¥134.7751
参考库存:11719
晶体管
MOSFET 80V N-Ch UltraFET PowerTrench MOSFET
1:¥17.5941
10:¥14.9047
100:¥11.9893
500:¥10.4525
3,000:¥8.0682
6,000:查看
参考库存:33391
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS7
1:¥407.1729
5:¥394.8785
10:¥383.2734
25:¥359.3852
参考库存:4398
晶体管
MOSFET TO-252 DPAK P-CH 60V
1:¥4.4522
10:¥3.7177
100:¥2.3956
1,000:¥1.9097
2,500:¥1.7176
参考库存:118285
晶体管
MOSFET N-Ch 20V 80A TDSON-8 OptiMOS 2
1:¥9.9892
10:¥8.4524
100:¥6.5427
500:¥5.7856
1,000:¥4.5765
5,000:¥4.5765
参考库存:29277
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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