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晶体管
IPP126N10N3GXKSA1参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

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IPP126N10N3GXKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 100V 58A TO220-3 OptiMOS 3
  • 数据手册下载
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库存:8,280(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.0683
10.0683
10
¥8.6106
86.106
100
¥6.6105
661.05
500
¥5.8421
2921.05
1,000
¥4.6104
4610.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
58 A
Rds On-漏源导通电阻
11 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
35 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
94 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
29 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24 ns
典型接通延迟时间
14 ns
零件号别名
G IPP126N10N3 IPP126N1N3GXK SP000683088
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch Enhancement Mode Field Effect
1:¥3.616
10:¥2.5538
100:¥1.1752
1,000:¥0.89948
2,000:¥0.7684
参考库存:24881
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
1:¥3.842
10:¥2.1357
100:¥1.1413
500:¥0.95259
3,000:¥0.52997
9,000:查看
参考库存:17088
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP -45V -100mA HFE/220
1:¥1.695
10:¥1.11418
100:¥0.46895
1,000:¥0.32318
2,000:¥0.25312
参考库存:70405
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 80V 0.5A
1:¥3.4578
10:¥2.4408
100:¥1.12209
1,000:¥0.86106
3,000:¥0.72998
参考库存:24677
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Transistor General Purpose
1:¥2.0001
10:¥1.3334
100:¥0.56048
1,000:¥0.3842
2,000:¥0.29945
参考库存:42979
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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