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晶体管
DMN90H8D5HCTI参考图片

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DMN90H8D5HCTI

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库存:4,456(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.5259
9.5259
10
¥8.1473
81.473
100
¥6.2828
628.28
500
¥5.5596
2779.8
1,000
¥4.3844
4384.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
ITO-220AB-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
900 V
Id-连续漏极电流
2.5 A
Rds On-漏源导通电阻
5.5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
7.9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
30 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
17 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
21 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
17.6 ns
典型接通延迟时间
16 ns
单位重量
1.850 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP+NPN 1A 50V
1:¥3.1527
10:¥2.6668
100:¥1.6272
1,000:¥1.2656
3,000:¥1.07576
参考库存:40601
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
1:¥5.9212
10:¥4.972
100:¥3.2092
1,000:¥2.5651
2,500:¥2.1696
参考库存:28363
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN GP TRANSISTOR
1:¥2.9945
10:¥1.9888
100:¥0.82942
1,000:¥0.56839
8,000:¥0.37629
24,000:查看
参考库存:42080
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 60V NPN
1:¥1.921
10:¥1.2882
100:¥0.53788
1,000:¥0.36838
3,000:¥0.28476
参考库存:92252
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 700V/400V/4A/NPN
1:¥4.8364
10:¥4.0002
100:¥2.5764
1,000:¥2.0679
参考库存:18324
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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