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晶体管
TK11A45D(STA4,Q,M)参考图片

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TK11A45D(STA4,Q,M)

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch MOS 10A 40V 25W 410pF 0.029
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数量单价合计
1
¥14.5996
14.5996
10
¥11.752
117.52
100
¥9.4468
944.68
500
¥8.2264
4113.2
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
450 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
500 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
20 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
40 W
配置
Single
高度
15 mm
长度
10 mm
系列
TK11A45D
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Toshiba
正向跨导 - 最小值
0.8 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
75 ns
典型接通延迟时间
60 ns
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MUN5231DW1T1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN
1:¥2.147
10:¥1.469
100:¥0.61472
1,000:¥0.42262
3,000:¥0.32996
参考库存:222001
RN1115,LF(CT
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor with Built-in Transistor
1:¥1.695
10:¥1.06785
100:¥0.44522
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:28853
IPI80N04S4-03
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T2
1:¥11.526
10:¥9.831
100:¥7.571
500:¥6.6896
参考库存:8230
APT150GN60JDQ4
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi
1:¥270.3977
5:¥258.2615
10:¥250.1933
25:¥229.9098
参考库存:3237
BC857BQAZ
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BC857BQA/DFN1010D-3/REEL 7" Q2
1:¥1.7628
10:¥1.1978
100:¥0.49946
1,000:¥0.34578
5,000:¥0.26894
参考库存:27234

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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