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晶体管
IRGP4650D-EPBF参考图片

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IRGP4650D-EPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V UltraFast IGBT 50A 268W 104nC
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库存:4,173(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥60.8618
60.8618
10
¥55.0197
550.197
25
¥52.4772
1311.93
100
¥45.5616
4556.16
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247AD-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
76 A
Pd-功率耗散
268 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
400
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
SP001535810
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 5 Amp
1:¥579.6787
5:¥569.0793
10:¥554.3215
25:¥543.4848
参考库存:8566
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
3,000:¥0.52997
9,000:¥0.46895
24,000:¥0.43844
参考库存:51750
晶体管
MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT6
1:¥4.5313
10:¥3.7403
100:¥2.4182
1,000:¥1.9323
3,000:¥1.6272
参考库存:51755
晶体管
MOSFET PMOSFET
1:¥60.5454
10:¥54.4773
25:¥49.6409
50:¥46.0249
参考库存:51760
晶体管
射频(RF)双极晶体管 Small Sig Transistor 2.0x2.1mm Flat lead
3,000:¥0.54579
9,000:¥0.48364
24,000:¥0.45313
参考库存:51765
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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