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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Cree, Inc.
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	SiC
安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	TO-247-3
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	1.2 kV
Id-连续漏极电流	90 A
Rds On-漏源导通电阻	25 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	2.4 V
Vgs - 栅极-源极电压	25 V, - 10 V
Qg-栅极电荷	406 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散	463 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
封装	Tube
高度	21.1 mm
长度	5.21 mm
产品	Power MOSFET
晶体管类型	1 N-Channel
类型	Silicon Carbide Power MOSFET
宽度	16.13 mm
商标	Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值	23.6 S
下降时间	28.4 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	31.6 ns
工厂包装数量	30
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	28.8 ns
典型接通延迟时间	14.4 ns
单位重量	38 g

商品其它信息

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