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晶体管
SSM3J35MFV,L3F参考图片

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SSM3J35MFV,L3F

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET Small-signal MOSFET ID -0.1A, -20V VDSS
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数量单价合计
1
¥1.921
1.921
10
¥1.2091
12.091
100
¥0.50737
50.737
1,000
¥0.34578
345.78
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23F-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
100 mA
Rds On-漏源导通电阻
4.3 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
-
最小工作温度
-
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
150 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
系列
SSM3J35MFV
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Toshiba
正向跨导 - 最小值
77 mS
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
8000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
251 ns
典型接通延迟时间
175 ns
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MUN5231DW1T1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN
1:¥2.147
10:¥1.469
100:¥0.61472
1,000:¥0.42262
3,000:¥0.32996
参考库存:222001
RN1115,LF(CT
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor with Built-in Transistor
1:¥1.695
10:¥1.06785
100:¥0.44522
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:28853
IPI80N04S4-03
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T2
1:¥11.526
10:¥9.831
100:¥7.571
500:¥6.6896
参考库存:8230
APT150GN60JDQ4
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi
1:¥270.3977
5:¥258.2615
10:¥250.1933
25:¥229.9098
参考库存:3237
BC857BQAZ
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BC857BQA/DFN1010D-3/REEL 7" Q2
1:¥1.7628
10:¥1.1978
100:¥0.49946
1,000:¥0.34578
5,000:¥0.26894
参考库存:27234

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

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    物料均可追溯

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    4小时快速发货

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