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晶体管
IHW40N60RFKSA1参考图片

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IHW40N60RFKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Body
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库存:5,092(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥34.9622
34.9622
10
¥29.7416
297.416
100
¥25.7414
2574.14
250
¥24.4306
6107.65
500
¥21.8994
10949.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
305 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RC
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IHW40N60R IHW4N6RXK SP000357222
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET P-CH 20V 2A TUMT3
1:¥6.0681
10:¥5.0285
100:¥3.2431
1,000:¥2.599
3,000:¥2.1922
参考库存:50219
晶体管
MOSFET N+P 30 20V 1.5A TSMT6
1:¥3.9211
10:¥3.2544
100:¥1.9775
1,000:¥1.5255
3,000:¥1.5029
参考库存:50224
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 AF DIGITAL TRANSISTOR
1:¥2.6894
10:¥1.7628
100:¥0.75258
1,000:¥0.58421
3,000:¥0.44522
参考库存:50229
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 350W 22dB 30MHz
1:¥1,051.7814
5:¥1,031.1137
10:¥983.0887
25:¥962.421
参考库存:7052
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 25A TO247-3 CoolMOS CP
1:¥48.8725
10:¥41.4936
100:¥35.9566
250:¥34.1147
500:¥30.6569
参考库存:50236
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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