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晶体管
2SC5200N(S1,E,S)参考图片

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2SC5200N(S1,E,S)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ
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库存：6,388(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥17.3681
17.3681
10
¥13.9894
139.894
100
¥11.2209
1122.09
500
¥9.831
4915.5
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3P-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
230 V
集电极—基极电压 VCBO
230 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.4 V
最大直流电集电极电流
15 A
增益带宽产品fT
30 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2SC5200
直流电流增益 hFE 最大值
160
商标
Toshiba
集电极连续电流
15 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
35
Pd-功率耗散
150 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
25
子类别
Transistors
单位重量
7 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRFHM8329TRPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MOSFET, 30V, 25A, 4 3nC Qg, PQFN 3.3x3.3
1:¥4.7686
10:¥3.9663
100:¥2.5538
1,000:¥2.0566
4,000:¥2.0566
参考库存:27683
BSS84PW H6327
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET P-Ch -60V 150mA SOT-323-3
1:¥2.5312
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:849475
FCP4N60
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 600V N-Chl MOSFET
1:¥11.6051
10:¥9.9101
100:¥7.5936
500:¥6.7122
参考库存:4422
HGTG10N120BND
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
IGBT 晶体管 35A 1200V N-Ch
1:¥27.8206
10:¥23.5944
100:¥20.4417
250:¥19.436
参考库存:8049
IRFB7446GPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MOSFET, 40V, 118A, 3 62 nC Qg, TO-220AB
1:¥11.9893
10:¥10.1474
100:¥8.1473
500:¥7.1416
1,000:¥5.9212
参考库存:9131

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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