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晶体管
TK56A12N1,S4X参考图片

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TK56A12N1,S4X

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET NCh6.2ohm VGS10V10uAVDS120V
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库存：4,856(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥16.1364
16.1364
10
¥12.9837
129.837
100
¥10.3734
1037.34
500
¥9.1417
4570.85
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Id-连续漏极电流
56 A
Rds On-漏源导通电阻
6.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
69 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
45 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
高度
15 mm
长度
10 mm
系列
TK56A12N1
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N6286
Microsemi
晶体管
达林顿晶体管 Power BJT
100:¥413.0941
参考库存:37596
SQJ401EP-T2_GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQJ411EP-T1_GE3
1:¥14.2945
10:¥11.8311
100:¥9.2208
500:¥8.0682
1,000:¥6.6783
3,000:¥6.5879
参考库存:37601
SIHF9540PBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET -100V Vds +/-20V Vgs Rds(on) 0.20 @-10V
1,000:¥14.6787
3,000:¥13.9103
5,000:¥13.447
参考库存:37606
SIE822DF-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 20V Vds 20V Vgs PolarPAK
3,000:¥9.9101
6,000:¥9.5259
9,000:¥9.1417
参考库存:37611
APTGT200SK120G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥789.6892
参考库存:37616

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    50万现货SKU

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