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晶体管
IKP10N60TXKSA1参考图片

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IKP10N60TXKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 10A
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库存:9,553(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥15.9782
15.9782
10
¥13.6052
136.052
100
¥10.8367
1083.67
500
¥9.5259
4762.95
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
24 A
Pd-功率耗散
110 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
500
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKP10N60T IKP1N6TXK SP000683062
单位重量
1.800 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
1:¥2.9154
10:¥2.0001
100:¥0.92208
1,000:¥0.70738
4,000:¥0.60681
参考库存:22275
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP GEN PUR SWITCH
1:¥9.2999
10:¥7.91
100:¥6.1359
500:¥5.4127
参考库存:11427
晶体管
MOSFET 500V N-Channel UniFET-II
1:¥11.9102
10:¥10.1474
100:¥7.8422
500:¥6.8704
1,000:¥5.4127
参考库存:7279
晶体管
MOSFET P-Ch -30V -78.6A TDSON-8 OptiMOS P3
1:¥8.0682
10:¥6.9382
100:¥5.3336
500:¥4.7121
1,000:¥3.7177
5,000:¥3.7177
参考库存:11381
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP Resistor Equipped Transistor
1:¥3.2318
10:¥2.2713
100:¥1.04525
1,000:¥0.79891
10,000:¥0.62263
20,000:查看
参考库存:52283
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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