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产品分类

晶体管
RJH65D27BDPQ-A0#T2参考图片

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RJH65D27BDPQ-A0#T2

  • Renesas Electronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 IGBT - 650V/50A/TO-247A
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库存:45,266(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥60.7827
60.7827
10
¥54.6355
546.355
25
¥49.7878
1244.695
50
¥46.1831
2309.155
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Renesas Electronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247A-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.3 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
Pd-功率耗散
375 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RJH65D27BDPQ
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
100 A
商标
Renesas Electronics
栅极—射极漏泄电流
+/- 1 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 100V P-Channel QFET
1:¥8.7575
10:¥7.4806
100:¥5.7517
500:¥5.0737
1,000:¥4.0115
2,500:¥4.0115
参考库存:16733
晶体管
达林顿晶体管 10A 60V Bipolar Power NPN
1:¥14.6787
10:¥12.4526
100:¥9.9892
500:¥8.7575
1,000:¥7.1981
参考库存:8160
晶体管
MOSFET 60V N-Channel MOSFET 20V VGS 24.3A IDM
1:¥4.6895
10:¥3.9324
100:¥2.5312
1,000:¥2.034
2,500:¥2.034
参考库存:22382
晶体管
MOSFET FET 40V 14.0 MOHM MLP22
1:¥6.3732
10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
3,000:¥2.5538
9,000:查看
参考库存:30564
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Medium Power
1:¥3.2996
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
3,000:¥0.89948
9,000:¥0.83733
参考库存:265741
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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