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晶体管
BSC057N08NS3 G参考图片

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BSC057N08NS3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
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库存:39,669(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥14.6787
14.6787
10
¥12.4526
124.526
100
¥9.9892
998.92
500
¥8.7575
4378.75
1,000
¥7.2659
7265.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
4.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
56 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
114 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
OptiMOS 3 Power-Transistor
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
40 S
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
32 ns
典型接通延迟时间
16 ns
零件号别名
BSC057N08NS3GATMA1 BSC57N8NS3GXT SP000447542
单位重量
100 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LOW VCE(SAT) NPN SMT
1:¥3.2996
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
2,500:¥1.11418
参考库存:3487
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS DR XSTR SPCL TR
1:¥2.9945
10:¥1.9323
100:¥0.82942
1,000:¥0.63732
3,000:¥0.48364
参考库存:92929
晶体管
MOSFET TRENCH 3.1 30V 9 mOhm NCH
1:¥4.3053
10:¥3.5143
100:¥2.147
1,000:¥1.6611
2,500:¥1.4125
参考库存:159356
晶体管
MOSFET 60V N-Channel QFET
1:¥8.9157
10:¥7.6275
100:¥5.8647
500:¥5.1754
参考库存:14958
晶体管
IGBT 晶体管 N Ch 55V 6.5mohm 80A Pwr MOSFET
1:¥9.605
10:¥8.1473
100:¥6.2489
500:¥5.5257
2,500:¥3.8646
10,000:查看
参考库存:20180
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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