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晶体管
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2N3505

  • Central Semiconductor
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Gen Pur SS
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10
¥14.1363
141.363
100
¥11.30
1130
500
¥9.9101
4955.05
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
否
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-18
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
400 mV
最大直流电集电极电流
150 mA
增益带宽产品fT
200 MHz
系列
2N3505
直流电流增益 hFE 最大值
300
高度
5.33 mm
长度
5.84 mm
封装
Bulk
宽度
5.84 mm
商标
Central Semiconductor
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
零件号别名
2N3505 TIN/LEAD
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
APTGT30X60T3G
Microsemi
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IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥397.9521
参考库存:37994
APTGT75H60T3G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥461.266
参考库存:37999
QPD2194SR
Qorvo
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 300 W, 48 V, 1.8-2.2 GHz GaN RF Power Transistor
100:¥1,124.8585
参考库存:38004
CXTA44 TR
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Volt Trans 450Vcbo 400Vceo 1.2W
2,000:¥3.0623
10,000:¥2.9606
25,000:¥2.8589
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A3T21H400W23SR6
NXP Semiconductors
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T21H400W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
150:¥829.9511
参考库存:38011

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