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晶体管

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APTGT35H120T3G

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  • IGBT 模块 Power Module - IGBT
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库存:2,346(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥543.0328
543.0328
5
¥526.0489
2630.2445
10
¥510.0594
5100.594
25
¥487.0865
12177.1625
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Full Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
55 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
208 W
封装 / 箱体
SP3-32
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET P-Channel MOSFET, SOT-723 package
1:¥4.3053
10:¥3.1188
100:¥1.8419
1,000:¥0.80682
32,000:¥0.52206
48,000:查看
参考库存:161672
晶体管
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
1:¥6.3732
10:¥5.2432
100:¥3.3787
800:¥2.7007
2,400:¥2.2939
参考库存:26074
晶体管
MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
1:¥2.2261
10:¥1.5255
100:¥0.63732
1,000:¥0.43844
3,000:¥0.33787
参考库存:236511
晶体管
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench
1:¥30.4309
10:¥25.8996
100:¥22.4418
250:¥21.2892
500:¥19.1309
800:¥19.1309
参考库存:11583
晶体管
MOSFET N-CH 250V 0.29Ohm 8A STripFET II
1:¥15.2098
10:¥12.9046
100:¥10.2943
500:¥9.0626
参考库存:16965
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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