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FF150R12KE3G

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数量单价合计
1
¥748.1165
748.1165
5
¥734.3644
3671.822
10
¥701.3232
7013.232
25
¥677.9548
16948.87
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
否
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
225 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
780 W
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
30.5 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FF150R12KE3GHOSA1 SP000100740
单位重量
340 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N6987/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥394.1892
200:¥372.1316
参考库存:56385
2N930/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥55.483
129:¥55.483
200:¥51.0195
500:¥46.4882
1,000:¥40.4992
参考库存:56390
JAN2N2369AUA
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥284.0029
250:¥265.0189
参考库存:56395
ALD310700PCL
Advanced Linear Devices
晶体管
MOSFET Quad P-Channel EPAD Matched Pair
50:¥36.1939
100:¥34.4989
250:¥30.1936
500:¥29.3574
参考库存:56400
HN4B01JE(TE85L,F)
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Vceo=-50V Vceo=50V
暂无价格
参考库存:56405

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