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晶体管
STGWT80V60DF参考图片

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STGWT80V60DF

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gte FieldStop IGBT 600V 80A
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库存:2,696(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥63.7772
63.7772
10
¥57.63
576.3
25
¥54.9406
1373.515
100
¥47.7199
4771.99
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3P
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
120 A
Pd-功率耗散
469 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWT80V60DF
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
80 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
300
子类别
IGBTs
单位重量
6.756 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 75a 150V 0.016 Ohm N-Ch MOSFET
1:¥57.856
10:¥52.2512
25:¥49.8669
100:¥43.2564
参考库存:3280
晶体管
MOSFET P-Ch -40V -85A DPAK-2 OptiMOS-P2
1:¥9.4468
10:¥8.0682
100:¥6.2037
500:¥5.4918
2,500:¥3.842
10,000:查看
参考库存:9162
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Gen Trans NPN x 2 SMV, 50V, 100A
1:¥4.2262
10:¥2.3278
100:¥0.99892
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.58421
参考库存:10204
晶体管
IGBT 模块 IGBT IPM 10A 600 V SDIP25L molded
1:¥83.2132
10:¥76.5349
25:¥73.3031
100:¥64.6247
参考库存:3096
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100V PNP Med Power
1:¥6.3054
10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
1,000:¥2.8815
参考库存:16283
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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