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晶体管
SSM3K59CTB,L3F参考图片

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SSM3K59CTB,L3F

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET Small-signal MOSFET ID: 2A, VDSS: 40V
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数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥2.3504
23.504
100
¥1.3108
131.08
1,000
¥0.9605
960.5
10,000
¥0.77631
7763.1
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
CST3B-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
2 A
Rds On-漏源导通电阻
250 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
1.8 V
Qg-栅极电荷
1.1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1000 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.48 mm
长度
1.2 mm
系列
SSM3K59
宽度
0.8 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
8 ns
典型接通延迟时间
13 ns
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SCT2280KEC
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET MOSFET1200V14A280m OhmSiliconCarbideSiC
1:¥76.9191
10:¥69.5402
25:¥66.3084
100:¥57.5509
250:¥54.9406
参考库存:7746
IGW50N65H5FKSA1
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥31.1993
10:¥26.5098
100:¥22.9729
250:¥21.7412
500:¥19.5151
参考库存:5683
MUN2241T1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN
1:¥1.695
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:109050
FCX589TA
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Medium Power
1:¥4.0002
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
2,000:¥1.3334
参考库存:10487
NJVMJD45H11RLG
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 8A 80V TR
1:¥7.1416
10:¥5.989
100:¥3.842
1,000:¥3.0736
1,800:¥2.6103
参考库存:6454

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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