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晶体管
STI55NF03L参考图片

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STI55NF03L

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 30 V, 0.01 Ohm, 55 A, I2PAK STripFET(TM) II Power MOSFET
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库存:11,921(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.5259
9.5259
10
¥8.1473
81.473
100
¥6.2828
628.28
500
¥5.5596
2779.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
55 A
Rds On-漏源导通电阻
10 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Qg-栅极电荷
27 nC
最小工作温度
- 60 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
80 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
STripFET
封装
Tube
高度
4.6 mm
长度
10.4 mm
系列
STI55NF03L
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.35 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
50 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
400 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
28 ns
单位重量
2.084 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
1:¥7.9891
10:¥6.8365
100:¥5.2432
500:¥4.6443
1,000:¥3.6612
2,500:¥3.6612
参考库存:51575
晶体管
MOSFET 900V 65mOhms G3 SiC MOSFET
1:¥88.4451
参考库存:3772
晶体管
MOSFET N-Chnl 100-V (D-S) AEC-Q101 Qualified
1:¥24.4306
10:¥20.2044
100:¥16.6788
250:¥16.1364
参考库存:4999
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥20.9728
10:¥17.8314
100:¥14.2945
500:¥12.4526
1,000:¥10.3734
参考库存:5471
晶体管
MOSFET N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
1:¥21.5943
10:¥18.3625
100:¥14.6787
500:¥12.9046
1,000:¥10.6785
参考库存:2608
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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