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晶体管
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PGA26E19BA

  • Panasonic
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET 600VDC 190mohm X-GaN
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数量单价合计
1
¥140.5381
140.5381
10
¥131.1704
1311.704
25
¥124.5599
3113.9975
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Panasonic
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
GaN
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
13 A
Rds On-漏源导通电阻
190 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
69 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
X-GaN
系列
PGA26E19BA
商标
Panasonic
下降时间
2.4 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
5.2 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
3.4 ns
典型接通延迟时间
3.4 ns
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPD640N06L G
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 18A DPAK-2
1:¥5.0737
10:¥4.2262
100:¥2.7233
1,000:¥2.1809
2,500:¥1.8419
参考库存:209739
2N7002VC-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET Dual N-Channel
1:¥2.8476
10:¥2.2148
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
3,000:¥0.77631
9,000:¥0.72998
参考库存:73156
IPB65R065C7ATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 700V 145A D2PAK-2
暂无价格
参考库存:28459
STD47N10F7AG
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 0.0125 Ohm typ., 45 A STripFET F7 Power MOSFET in DPAK package
1:¥9.5259
10:¥8.1473
100:¥6.2828
500:¥5.5596
2,500:¥3.8872
10,000:查看
参考库存:16568
IRGPS60B120KDP
Infineon / IR
晶体管
IGBT 晶体管 1200V UltraFast 5-40kHz
1:¥164.5958
5:¥162.9008
10:¥151.8381
25:¥145.0016
参考库存:4170

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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