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晶体管
GS66508T-E02-MR参考图片

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GS66508T-E02-MR

  • GaN Systems
  • 新批次
  • MOSFET 650V 30A E-Mode GaN
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库存:15,068(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥124.865
124.865
10
¥120.8648
1208.648
25
¥115.1809
2879.5225
250
¥106.9658
26741.45
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
GaN Systems
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
GaN
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
GaNPX-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
55 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
7 V
Qg-栅极电荷
5.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.54 mm
长度
7 mm
产品
MOSFET
系列
GS6650x
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
GaN Systems
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
零件号别名
GS66508T-E02-MR
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
1:¥15.5262
10:¥13.221
100:¥10.5316
500:¥9.2208
800:¥7.6388
参考库存:24961
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150MW 4.7K4.7K
3,000:¥0.66105
9,000:¥0.5989
24,000:¥0.56048
参考库存:24966
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS HV TAPE-7
1:¥3.4578
10:¥2.9041
100:¥1.7741
1,000:¥1.3673
参考库存:11681
晶体管
MOSFET 60V, 38A, Single N-Channel Power MOSFET
1:¥5.4579
10:¥4.7686
100:¥3.6838
500:¥2.7233
2,500:¥1.921
5,000:查看
参考库存:26748
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 20V NPN LOW VCE(SAT)
1:¥11.1418
10:¥9.5259
100:¥7.2772
500:¥6.4297
3,000:¥4.4974
9,000:查看
参考库存:24975
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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    4小时快速发货

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