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晶体管
TSM60N600CH参考图片

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TSM60N600CH

  • Taiwan Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 600V, 8A, 600mOhm
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库存:3,577(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥14.2154
14.2154
10
¥12.8368
128.368
100
¥10.3734
1037.34
500
¥8.0682
4034.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
490 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
13 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
83 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
下降时间
9 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
1875
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
21 ns
零件号别名
C5G TSM60N600CH
单位重量
4 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR PD=132W
1:¥10.5994
10:¥8.5315
100:¥6.5201
500:¥5.7517
5,000:¥4.0341
10,000:查看
参考库存:28977
晶体管
达林顿晶体管 PNP Epitaxial Darl
1:¥5.989
10:¥4.9381
100:¥3.1866
1,000:¥2.5538
参考库存:53774
晶体管
MOSFET -30V Vds 25V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥6.9947
10:¥5.7517
100:¥4.4183
500:¥3.8081
1,000:¥2.9945
3,000:¥2.9945
参考库存:4231
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 80Vcbo 65Vceo 5.0Vebo 100mA
1:¥3.2996
10:¥2.3843
100:¥1.3673
1,000:¥0.99892
3,000:¥0.86106
参考库存:4308
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Digital Transtr Driver
1:¥4.7686
10:¥3.9324
100:¥2.3956
1,000:¥1.8532
3,000:¥1.582
参考库存:17615
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    4小时快速发货

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