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晶体管
TSM60N600CH参考图片

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TSM60N600CH

  • Taiwan Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 600V, 8A, 600mOhm
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数量单价合计
1
¥14.2154
14.2154
10
¥12.8368
128.368
100
¥10.3734
1037.34
500
¥8.0682
4034.1
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
490 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
13 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
83 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
下降时间
9 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
1875
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
21 ns
零件号别名
C5G TSM60N600CH
单位重量
4 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMT3006LFVQ-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
3,000:¥2.3391
参考库存:47611
EFC2J022NUZTCG
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NCH 12V 2.2 MOHM WLCSP10
5,000:¥1.6724
10,000:¥1.6046
25,000:¥1.5368
50,000:¥1.5142
参考库存:47616
MG12400D-BN2MM
Littelfuse
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IGBT 模块 1200V 400A Dual
60:¥1,287.9175
参考库存:47621
DDTD122JC-7-F
Diodes Incorporated
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双极晶体管 - 预偏置 200MW 0.22K 4.7K
3,000:¥0.33787
9,000:¥0.29154
24,000:¥0.27685
45,000:¥0.25312
参考库存:47626
IKW50N65F5
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
240:¥27.12
480:¥25.7414
720:¥23.052
参考库存:47631

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    50万现货SKU

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