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晶体管
TGF2965-SM参考图片

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TGF2965-SM

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 30MHZ-3GHz 5W 50 Ohm Gain 18dB@2GHz 32V
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1
¥345.78
345.78
25
¥307.36
7684
100
¥268.94
26894
250
¥245.888
61472
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
18 dB
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
32 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 2.7 V
Id-连续漏极电流
600 mA
输出功率
6 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
-
最大工作温度
-
Pd-功率耗散
7.5 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-16
封装
Tray
配置
Single
工作频率
30 MHz to 3 GHz
商标
Qorvo
正向跨导 - 最小值
-
闸/源截止电压
-
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
-
零件号别名
1123170
单位重量
57.100 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMP26M7UFG-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 20V P-Ch Enh FET 12Vgss PPAP
3,000:¥2.5764
参考库存:44023
DMS3016SFG-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
暂无价格
参考库存:44028
APT20M20JFLL
Microsemi
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS7
1:¥354.1533
5:¥343.4748
10:¥333.4065
25:¥312.5806
参考库存:44033
DMN3730UFB4-7B
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥2.8476
10:¥1.8532
100:¥0.791
1,000:¥0.60681
10,000:¥0.41471
20,000:查看
参考库存:53696
NVTFS4824NTWG
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET U8FL 30V 69A 7.5M OHM
1:¥8.2942
10:¥7.119
100:¥5.4692
500:¥4.8364
5,000:¥3.39
10,000:查看
参考库存:44040

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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