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晶体管
TGF2965-SM参考图片

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TGF2965-SM

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 30MHZ-3GHz 5W 50 Ohm Gain 18dB@2GHz 32V
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库存:4,375(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥345.78
345.78
25
¥307.36
7684
100
¥268.94
26894
250
¥245.888
61472
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
18 dB
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
32 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 2.7 V
Id-连续漏极电流
600 mA
输出功率
6 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
-
最大工作温度
-
Pd-功率耗散
7.5 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-16
封装
Tray
配置
Single
工作频率
30 MHz to 3 GHz
商标
Qorvo
正向跨导 - 最小值
-
闸/源截止电压
-
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
-
零件号别名
1123170
单位重量
57.100 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7
1:¥2.4634
10:¥1.7176
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:33640
晶体管
MOSFET MOSFT 80V 9.2A 15mOhm 31nC Qg
1:¥10.0683
10:¥8.6106
100:¥6.6444
500:¥5.876
4,000:¥4.1132
8,000:查看
参考库存:36287
晶体管
MOSFET P-Ch Enh Mode -30V Low Rdson -20Vgss
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
2,500:¥1.8419
参考库存:120184
晶体管
MOSFET MOSFT PCh -100V 13A 205mOhm 38.7nC
1:¥10.3734
10:¥8.8366
100:¥6.8026
500:¥6.0116
1,000:¥4.746
3,000:¥4.746
参考库存:29791
晶体管
MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 80A 62.5W
1:¥7.458
10:¥6.3732
100:¥4.8929
500:¥4.3279
1,000:¥3.4126
2,000:¥3.4126
参考库存:22238
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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