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晶体管
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KSC1008OBU

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数量单价合计
1
¥2.5312
2.5312
10
¥1.7176
17.176
100
¥0.71416
71.416
1,000
¥0.49155
491.55
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
集电极—基极电压 VCBO
80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
8 V
集电极—射极饱和电压
0.2 V
最大直流电集电极电流
0.7 A
增益带宽产品fT
50 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
KSC1008
直流电流增益 hFE 最大值
400
高度
4.7 mm
长度
4.7 mm
封装
Bulk
宽度
3.93 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
0.7 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
Pd-功率耗散
800 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
10000
子类别
Transistors
单位重量
179 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STP45N10F7
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-channel 100 V 0 013 Ohm typ 45 A
1:¥17.4472
10:¥14.8256
100:¥11.8311
500:¥10.3734
1,000:¥8.6106
参考库存:13522
MX2N4392
Microsemi
晶体管
JFET JFET
100:¥430.7673
参考库存:58261
STD10P10F6
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET P-channel 100 V, 0.136 Ohm typ., 10 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥6.7574
10:¥5.8082
100:¥4.4635
500:¥3.955
1,000:¥3.1075
2,500:¥2.7685
参考库存:32479
BSM30GD60DLC
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 600V 30A 3-PHASE
10:¥584.7524
30:¥565.2373
100:¥526.2749
参考库存:58268
STF18NM60N
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-channel 600 V 0.27ohm 13A MDmesh
1:¥17.5941
10:¥14.9047
100:¥11.9893
500:¥10.4525
1,000:¥8.6784
参考库存:13536

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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