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晶体管
BSL306NH6327XTSA1参考图片

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BSL306NH6327XTSA1

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库存:4,623(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.3844
4.3844
10
¥3.6499
36.499
100
¥2.2261
222.61
1,000
¥1.7176
1717.6
3,000
¥1.469
4407
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOP-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
2.3 A
Rds On-漏源导通电阻
57 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
1.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3 mm
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
1.5 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
1.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.3 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
8.3 ns
典型接通延迟时间
4.4 ns
零件号别名
BSL306N H6327 SP001100664
单位重量
14.840 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 20A TDSON-8
1:¥13.673
10:¥11.6051
100:¥9.2999
500:¥8.1473
5,000:¥6.0681
10,000:查看
参考库存:42189
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
1:¥8.0682
10:¥6.8817
100:¥5.2997
500:¥4.6782
1,000:¥3.6838
2,500:¥3.6838
参考库存:14352
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra narrow leads package
1:¥29.5043
10:¥25.0521
100:¥21.7412
250:¥20.5886
参考库存:42196
晶体管
IGBT 晶体管 1200V, 40A Field Stop Trench IGBT
1:¥53.2456
10:¥48.1041
25:¥45.878
100:¥39.7986
参考库存:3919
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Bipolar Transistor .1A 1.6W
1:¥7.6049
10:¥6.0681
100:¥4.6669
500:¥4.1132
1,000:¥3.2544
参考库存:42203
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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