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晶体管
IRLML6401TRPBF参考图片

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IRLML6401TRPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET MOSFT P-Ch -4.3A 50mOhm 10nC Log Lvl
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数量单价合计
1
¥3.2318
3.2318
10
¥2.5086
25.086
100
¥1.3673
136.73
1,000
¥1.02152
1021.52
3,000
¥0.88366
2650.98
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
4.3 A
Rds On-漏源导通电阻
50 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
10 nC
Pd-功率耗散
1.3 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001577044
单位重量
1.400 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CMXT2207 TR
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual Complementary
6,000:¥1.2882
9,000:¥1.1978
24,000:¥1.1413
45,000:¥1.10627
参考库存:33607
FF200R17KE3_S4
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1200V 200A
10:¥987.6991
30:¥967.0314
50:¥966.9523
100:¥918.6222
参考库存:46319
AGR19060EF
Advanced Semiconductor, Inc.
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.93-1.99GHz 12Watt Gain 15.5dB
10:¥699.244
30:¥619.3304
50:¥559.3952
100:¥539.4168
参考库存:46324
2N3507AU4
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥437.8298
参考库存:46329
CBCP69
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 25V 2A PNP
2,000:¥2.9154
10,000:¥2.8137
25,000:¥2.7233
参考库存:46334

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    50万现货SKU

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