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晶体管
NGTG30N60FLWG参考图片

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NGTG30N60FLWG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V/30A IGBT LPT TO-247
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库存:4,705(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥29.6625
29.6625
10
¥25.199
251.99
100
¥21.8203
2182.03
250
¥20.7468
5186.7
500
¥18.5998
9299.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
250 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
NGTG30N60FLWG
封装
Tube
商标
ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
30
子类别
IGBTs
单位重量
6.500 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V N-CHANNEL
1:¥11.3678
10:¥9.6841
100:¥7.7631
500:¥6.7461
3,000:¥5.198
6,000:查看
参考库存:22818
晶体管
MOSFET 30V N-channel Trench MOSFET
1:¥3.2318
10:¥2.2713
100:¥1.03734
1,000:¥0.79891
3,000:¥0.68365
参考库存:220050
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN
1:¥3,903.472
25:¥3,597.4228
参考库存:3327
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 15A 350V 230W NPN
1:¥45.6407
10:¥41.2676
25:¥39.3466
100:¥34.1938
参考库存:8634
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 6A 100V 20W NPN
1:¥5.4579
10:¥4.5313
100:¥2.9154
1,000:¥2.3391
1,800:¥1.9775
参考库存:21061
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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