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晶体管
STGW20H65FB参考图片

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STGW20H65FB

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 20 A high speed
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库存:5,962(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥28.0466
28.0466
10
¥23.8204
238.204
100
¥20.6677
2066.77
250
¥19.5942
4898.55
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
168 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW20H65FB
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
20 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 100V NCh PowerTrench
1:¥15.368
10:¥13.0628
100:¥10.4525
500:¥9.1417
1,000:¥7.5597
2,500:¥7.5597
参考库存:12227
晶体管
MOSFET 25/12V Dual Cool PowerTrench MOSFET
1:¥15.4471
10:¥13.0628
100:¥10.4525
500:¥9.2208
3,000:¥7.0625
6,000:查看
参考库存:18509
晶体管
MOSFET 60V 12A 10 OHM NCH POWER TRENCH MOSFET
1:¥12.5204
10:¥10.7576
100:¥8.2264
500:¥7.2546
1,000:¥5.7291
2,500:¥5.7291
参考库存:4251
晶体管
IGBT 模块 N-CH 3.3KV 1KA
1:¥11,753.9097
参考库存:4118
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1200V 600A
1:¥972.6362
5:¥953.5053
10:¥909.0963
25:¥889.9654
参考库存:4170
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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