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晶体管
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IRG4PH30KPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 1200V ULTRAFAST 4-20KHZ DSCRETE IGBT
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库存：4,889(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥27.8884
27.8884
10
¥23.7413
237.413
100
¥20.5208
2052.08
250
¥19.5151
4878.775
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
3.1 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
20 A
Pd-功率耗散
100 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
20 A
高度
20.3 mm
长度
15.9 mm
宽度
5.3 mm
商标
Infineon / IR
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
400
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001540542
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTXV2N2218/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
286:¥50.3302
500:¥45.878
1,000:¥39.9568
参考库存:54649
JANS2N6989
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
50:¥1,400.1039
参考库存:54654
JAN2N2484UA
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥156.2112
250:¥143.3857
500:¥136.4701
参考库存:54659
FS150R17KE3G
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 1700V 150A 3-PHASE
4:¥2,771.1555
8:¥2,604.1076
参考库存:54664
STF6N65K3
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 1.1 Ohm 5.4A SuperMESH3
1:¥14.4414
10:¥12.2944
100:¥9.831
500:¥8.6106
参考库存:9932

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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